FQP13N10-Transistor
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Mosfet-Transistor unter anderem für den President Lincoln II
Technische Spezifikationen:
- Typ: Mosfet
- Maximaler Dauerstromverbrauch: 12,8 A
- Maximaler Drain-Source-Widerstand: 0,18 Ω
- Maximale Drain-Quellenspannung: 100 V
- Maximale Gate-Quellenspannung: ±25 V
- Maximale Betriebstemperatur: +175 °C
- Maximale Verlustleistung: 65 W
- Mindestbetriebstemperatur: -55 °C
- Anzahl der Pins: 3
- Abmessungen: 10,1 x 4,7 x 9,4 mm
Packungsinhalt:
- 1 x FQP13N10 Transistor
